HELLORADIO.RU — интернет-магазин средств связи
EN FR DE CN JP
Магазину GearBest.com три года - заберите свои скидки!

Параметры интегральной микросхемы К174УН7

Навигатор: QRZ.RU > Радиолюбительская справочники > Справочник по отечественным микросхемам

Корпус ИМС К174УН7
Принципиальная схема ИМС К174УН7
Типовая схема включения ИМС К174УН7
Электрические параметры
Предельно допустимые режимы эксплуатации
Общие рекомендации по применению
Литература


        Микросхема представляет собой усилитель мощности звуковой частоты с номинальной выходной мощность 4,5 Вт на нагрузку 4 Ом. Аналог микросхемы TBA810AS и LA4420 (функциональный аналог). Микросхема предназначена для применения в телевизионной аппаратуре. Содержит 41 интегральный элемент. Конструктивно оформлена в корпусе типа 201.12.-1, 238.12-2. Масса не более 2,0 и 2,5гр соответственно (ТУ 1986г.).

Корпус ИМС К174УН7

 201.12.-1 type package view 1 - питание +Uи.п.;
4 - цепь обратной связи для регулировки Ку.u;
5 - коррекция;
6 - обратная связь;
7 - фильтр;
8 - вход;
9 - общий - Uи.п..
10 - эмиттер выходного транзистора;
12 - выход;
 238.12-2 type package view
201.12.-1   238.12-2


Принципиальная схема ИМС К174УН7

 K174UN7 principial scheme

Типовая схема включения ИМС К174УН4

 K174UN7 application scheme

Электрические параметры

  1     Номинальное напряжение питания 15 В ± 10%
  2  
 
  Выходное напряжение при
  Uп = 15 В, fвх = 1 кГц
 
  2,6…5,5 В
  3  
 
  Максимальное входное напряжение при Uп = 15 В,
  Uвых = 3,16 В, fвх = 1 кГц, Рвых = 2,5 Вт
 
  30…70 мВ
  4     Ток потребления при Uп = 15 В   5…20 мА
  5     Выходная мощность при Rн = 4 Ома   4,5 Вт
  6  
 
 
 
  Коэффициент гармоник при Uп = 15 В, fвх = 1 кГц:
  Uвых = 4,25 В, Рвых = 4,5 Вт
  Uвых = 0,45 В, Рвых = 0,05 Вт
  Uвых = 3,16 В, Рвых = 2,5 Вт
 
 > 10 %
 > 2 %
 > 2 %
  7     Коэффициент усиления по напряжению при Т= -10…+55°С   45
  8     Входное сопротивление при Uп = 9 В, fвх = 1 кГц   30 кОм
  9     Диапазон рабочих частот   40…20 000 Гц  
10     Коэффициент полезного действия при Pвых = 4,5 Вт   50 %


Предельно допустимые режимы эксплуатации

  1     Напряжение питания   13,5…16,5 В
  2     Амплитуда входного напряжения  > 2,0В
  3  
 
 
  Постоянное напряжение:
  на выводе 7
  на выводе 8
 
 > 15 В
  0,3…2,0 В
  4     Сопротивление нагрузки   4 Ом
  5  
 
 
  Тепловое сопротивление:
  кристалл-корпус
  кристалл-среда
 
  20°С/Вт
  100°С/Вт
  6     Температура окружающей среды         -10…+55°С
  7     Температура кристалла   + 85 °С


Общие рекомендации по применению

Не допускается эксплуатация микросхемы без дополнительного теплоотвода при мощности в нагрузке более 0,27 Вт. При температуре корпуса выше 60°С максимальная рассеиваемая мощность рассчитывается по формуле
Р=(150-Ткорп)/20, Вт (с теплоотводом),
где Ткорп - температура на поверхности теплоотвода у основания пластмассового корпуса микросхемы.

Допускается кратковременное (в течении 3 мин) увеличение напряжения питания до 18 В. Подача постоянного напряжения от внешнего источника на выводы 5, 6 и 12 микросхемы недопустима. Выходное сопротивление источника питания должно быть не более 0,05 Ом.



Литература

Микросхемы для бытовой радиоаппаратуры: Справочник /И. В. Новачек, В. М. Петухов, И. П. Блудов, А. В. Юровский. - Москва: КУБК-а, 1995г. - 384с.:ил.

Интегральные микросхемы и их зарубежные аналоги: Справочник. Том 2./А. В. Нефедов. - М.:КУБК-а, 1996г. - 640с.:ил.

Аналоговые интегральные микросхемы: Справочник /А .Л. Булычев, В. И. Галкин, В. А. Прохоренко. - 2-е издание, переработанное и дополненное - Минск: Беларусь, 1993г. - 382с.


Навигатор: QRZ.RU > Радиолюбительская справочники > Справочник по отечественным микросхемам

Партнеры