HELLORADIO.RU — интернет-магазин средств связи
EN FR DE CN JP
QRZ.RU > Каталог схем и документации > Схемы наших читателей > Приставка к осциллографу для наблюдения характеристик транзисторов

Приставка к осциллографу для наблюдения характеристик транзисторов

На рис. 83, а изображена схема приставки для наблюдения на экране осциллографа характеристик транзисторов. Переменный резистор R1 предназначен для регулировки тока базы. К экрану прикладывают лист кальки и обводят характеристику. Типичная характеристика коллекторного перехода показана на рис. 83, б.

Приставка к осциллографу для наблюдения характеристик транзисторов

 

Рис. 83. Приставка к осциллографу для наблюдения характеристик транзисторов:

а — принципиальная электрическая схема для транзисторов р-п-р, а для п-р-п следует поменять полярность включения элементов Б и Д1; б — основная характеристика; в — семейство характеристик.

Вертикальная ось — ток коллектора, горизонтальная — напряжение коллектора. Наклон кривой определяет область насыщения. На горизонтальной части кривой выбирают рабочую точку для усилителя класса А. На рис. 83, в кроме линин горизонтальной развертки 1 изображена характеристика обратного тока коллектора при токе базы /, равном нулю (кривая 2), а также выходные характеристики при токах базы 0,2...1 мА. Характеристики, полученные с помощью осциллографа, можно сравнить с приведенными в справочниках.

Транзисторы, предназначенные для работы в двухтактных каскадах, должны иметь близкие параметры. В нашем примере показан транзистор структуры п-р-п, включенный по схеме ОЭ. Так же можно исследовать и р-п-р транзистор, соответствующим образом подключив его к приставке (в схемах ОЭ, ОБ или ОК),

Партнеры