LAB599.RU — интернет-магазин средств связи
EN FR DE CN JP

Справочник по микросхемам памяти

 
 
Первая страница
Начало
Следующая страница
Справочник  по  микросхемам памяти

Расположение выводов микросхем РПЗУ


Таблица функциональных состояний для 558РР2
  Входы   Выходы Режим работы
A0...A10 -CE -OE Vpp D0...D7   
  L/H  H  H  H  L/H Запись
   X  H  L  H   Z Стирание
  L/H  L  L  L  Out Считывание
  L/H  L  L  H  L/H Запрет записи
   X  L  H  H   Z Запрет стирания
   X  L  H  L   Z Запрет считывания
   X  H  L  L   Z Запрет считывания

В незапрограммированной микросхеме хранятся единицы.
Напряжение программирования 25 В.
Таблица функциональных состояний для 573РР2
  Входы   Выходы  Режим работы
A0...A10  -CE  -OE Vpp D0...D7   
  L/H   L   H 22v  L/H Запись
  L/H   L   L  L  Out Считывание
   X   H   X  L   Z Невыбор
  L/H   L   H 22v   H Стирание побайтовое
   X   L  12v 22v   X Стирание общее

В незапрограммированной микросхеме хранятся единицы


Таблица функциональных состояний для 558РР4
  Входы   Выходы  Режим работы
A0...A12  -CE  -OE  -WR Vpp D0...D7  
  L/H   L   H   L  H  L/H Запись
   X   L   H   L  H   Z Стирание
  L/H   L   L   H  L  Out Считывание
   X   X   H   X  H   Z Запрет записи
   X   L   H   H  H   Z Запрет записи
   X   H   H   L  H   Z Запрет записи
   X   X   H   H  H   Z Запрет стирания
   X   H   H   X  H   Z Запрет стирания
   X   L   H   H  L   Z Запрет считывания

В незапрограммированной микросхеме хранятся единицы.
Напряжение программирования 16 В.
Vpp(L)= 5 v.

Козак Виктор Романович, Новосибирск, 17-окт-2003г.
email: kozak (at) inp.nsk.su

Партнеры