HELLORADIO.RU — интернет-магазин средств связи
EN FR DE CN JP
QRZ.RU > Каталог схем и документации > Схемы наших читателей > Аудиотехника > Схема простого УНЧ мощностью 50 Вт собранного на микросхеме LM3876

Схема простого УНЧ мощностью 50 Вт собранного на микросхеме LM3876

Схема простого УНЧ мощностью 50 Вт собранного на микросхеме LM3876 приведена на рис.2. Отличие от типового включения заключается в наличии цепей для подключения пикового индикатора перегрузки. В усилителе также отключен режим приглушенного звучания “MUTE” (цепь вывода 8 микросхемы DA1). Этот режим желательно применять в каскадах предварительного усилителя. Микросхема LM3876 имеет режим защиты от перегрузок, что несколько сказывается на звучании усилителя при максимальной мощности (небольшое подрезание сигнала на пиках).

Схема простого УНЧ мощностью 50 Вт собранного на микросхеме LM3876

Рис. 2. Схема усилителя низкой частоты мощностью 50 Вт

В усилителях применены металлопленочные резисторы. R6 (рис. 1) и R7 (рис. 2) рекомендую подобрать с точностью 1%. Электролитические конденсаторы должны быть рассчитаны на напряжение 50 В. Блокировочные конденсаторы в цепях питания микросхем необходимо устанавливать на минимальном расстоянии от ИС для предотвращения возможности самовозбуждения. В обоих конструкциях на входе желательно применить высококачественные неполярные конденсаторы.Катушка наматывается на резисторе соппротивлением 10 Ом, мощностью 1 Вт и содержит 10 витков изолированного медного провода диаметром 0,5 мм.

Для питания усилителя можно применить типовой источник, схема которого приведена на рис. 3. В скобках указаны напряжения для 50-ваттного усилителя. Конденсаторы фильтра должны иметь емкость не менее 4700,0 мкФ на рабочее напряжение 50 В. Габаритная мощность силового трансформатора 150,..300 Вт (для стереофонического варианта).

Схема простого УНЧ мощностью 50 Вт собранного на микросхеме LM3876

Рис. 3. Схема источника питания

Для обеспечения эффективного отвода тепла микросхемы необходимо установить на радиаторы значительных размеров, применив меры по обеспечению хорошего теплового контакта между корпусами микросхем и радиатором.

Автор статьи - R, Elliott. Статья опубликована в РЛ, №6,2002г.

Партнеры