HELLORADIO.RU — интернет-магазин средств связи
EN FR DE CN JP
QRZ.RU > Радиолюбительские статьи > Прочее > 11 мифов о магниторезистивной памяти

11 мифов о магниторезистивной памяти



Автор: Barry Hoberman, Electronic Design
Все статьи на QRZ.RU
Экспорт статей с сервера QRZ.RU
Все статьи категории "Прочее"
Среди технологий памяти следующего поколения большие перспективы имеет MRAM с переносом спинового момента, что обусловлено энергонезависимостью, высоким быстродействием и экономической эффективностью, однако с этими устройствами связано множество заблуждений
 
Магниторезистивная оперативная память с переносом спинового момента (ST-MRAM) становится наиболее перспективной технологией для запоминающих устройств следующих поколений. ST-MRAM энергонезависима, так как сохраняет данные при выключении питания. Она быстра, а скорости чтения и записи сравнимы с DRAM, и даже с кэш SRAM. Кроме того, она эффективна по стоимости, так как использует небольшую однотранзисторную битовую ячейку и требует лишь два или три дополнительных этапа маскирования.
 
11 мифов о магниторезистивной памяти
 
Однако MRAM имеет свои особенности. Давайте рассмотрим некоторые из наиболее распространенных заблуждений или мифов о MRAM.
 

1. Запись в ST-MRAM на 100% предсказуема и детерминирована.

 
Скорее всего, именно так и вы думаете. Ведь если вы записываете один триллион раз в хорошую ячейку SRAM или DRAM памяти, то, не считая программных ошибок или различных внешних событий, ячейка будет корректно записана один триллион раз. Однако MRAM отличается тем, что установка вектора магнитной поляризации является вероятностным событием – запись в ячейку MRAM один триллион раз практически всегда будет выполнена, но изредка – нет. Одна из самых больших проблем технологии MRAM, требующих решения, заключается в снижении частоты ошибок записи (write error rate – WER) до минимально возможного уровня, а также в исправлении тех немногих ошибок, которые все же будут возникать.
 

2. Я увидел в документации очень впечатляющую характеристику MRAM – быстродействие. При скоростях от 2 до 3 нс создается впечатление, что она сможет полностью заменить SRAM.

 
Характеристики MRAM могли быть оптимизированы. Например, увеличение напряжения записи улучшает как время переключения, так и упомянутый выше показатель WER. Но есть и обратная сторона. Повышенное напряжение существенно увеличивает потребление мощности и снижает срок службы – количество циклов записи до износа туннельного барьера. Как и для всех типов памяти, ключом к созданию MRAM является поиск правильного сочетания скорости, потребляемой мощности, срока службы и времени сохранения информации, отвечающего требованиями приложения.
 
В этом отношении ST-MRAM имеет большие перспективы. Информация в ней не разрушается при выключенном питании. Ее быстродействие сопоставимо с DRAM, и даже кэш SRAM. Наконец, она недорога, поскольку использует небольшую однотранзисторную битовую ячейку и в производстве требует лишь двух или трех дополнительных операций литографии.
 

3. Современная MRAM – это практически та же память на магнитных сердечниках, которая использовалась несколько десятилетий назад, только меньше.

 
В категорию «MRAM» входят три поколения устройств. К первому поколению относятся устройства памяти на магнитных сердечниках и другие MRAM-устройства с малой степенью интеграции, в которых используется «коммутация поля» с двумя разновидностями технологий ST-MRAM. MRAM второго поколения – «плоскостные» – используют векторы магнитной поляризации, параллельные плоскости магнитного слоя (то есть, поверхности пластины). В «перпендикулярных» MRAM третьего поколения вектор магнитной индукции перпендикулярен плоскости пластины. Сегодня основные усилия разработчиков MRAM сосредоточены на устройствах с перпендикулярным магнитным туннельным переходом (magnetic-tunnel-junction – MTJ).
 

4. MRAM потребляет очень много энергии.

 
На самом деле потребляемая MRAM мощность крайне мала. Например, по сравнению с флэш-памятью, для записи бита данных в ST-MRAM требуется энергии в 1000…10000 раз меньше, что делает ее идеальной малопотребляющей памятью для устройств Интернета вещей. Используемая в приложениях SRAM, MRAM не расходует энергию на хранение данных. А в приложениях, аналогичных DRAM, MRAM не нуждается в энергии ни для хранения, ни для обновления данных. Таким образом, экономия мощности оказывается весьма значительной.
 
11 мифов о магниторезистивной памяти
 

5. MRAM – самая сложная из всех технологий памяти следующего поколения.

 
На пути любой развивающейся технологии памяти возникают определенные сложности, и, конечно же, после прочтения предыдущих пунктов может показаться, что MRAM также сложна. Вероятностная природа MRAM создает проблемы для ее использования, и некоторые компании все еще борются над полным устранением битовых ошибок.
 
11 мифов о магниторезистивной памяти
 
Тем не менее, в сравнении с другими технологиями памяти следующего поколения, принципы MRAM намного лучше изучены и коммерциализированы, поскольку эта технология пришла из индустрии дисковых накопителей. Магнитный туннельный переход в считывающей головке дискового накопителя подобен MTJ в плоской битовой ячейке MRAM. Ежегодно изготавливаются и устанавливаются во вращающиеся дисковые приводы многие сотни миллионов таких головок. И, возможно, самое важное – в MRAM все физические материалы статичны. Не требуется ни перемещения атомов, как в RRAM (резистивная память с произвольным доступом – ред.), ни изменения состояния материалов, как в ОЗУ на фазовых переходах.
 

6. MRAM является первичной памятью, имеющей скорость кэша SRAM и время хранения FLASH.

 
Это утверждение истинно, если каждую его часть рассматривать по отдельности, так как время хранения и скорость записи находятся в противоречии – увеличение одного приводит к ухудшению другого. Также верно, что по характеристикам хранения MRAM может не уступать флеш памяти, или превосходить ее, и при этом быть на несколько порядков более долговечной, быстрой и экономичной. Кроме того, хотя устройства MRAM и могут работать на скоростях кэш, при времени хранения, сопоставимом с флеш памятью, MRAM окажутся в несколько раз медленнее – их скорости записи, возможно, будут в диапазоне от 40 до 100 нс. Между тем, кэш MRAM с быстродействием менее 10 нс невозможно изготовить по обычной технологии ST-MRAM так, чтобы иметь время хранения больше секунд или, возможно, часов.
 

7. MRAM очень сложна в производстве.

 
На самом деле все этапы производства MRAM очень просты: послойное осаждение материалов, травление и формирование межсоединений. Конечно же, при изготовлении MRAM высокой плотности возникают определенные проблемы, связанные с разработкой материалов для внутренних слоев и процессом травления. Но однажды освоенная технология изготовления MRAM будет лишь немного дороже КМОП за счет всего двух или трех дополнительных операций литографии и связанных с ними производственных процессов.
 

8. Люди говорят о различных диаметрах магнитных туннельных переходов. Я думаю, что диаметр перехода должен соответствовать используемому техпроцессу.

 
Диаметр магнитного туннельного перехода слабо связан с топологическими нормами используемого техпроцесса. MTJ должен быть достаточно малым, чтобы соответствовать площади элементов, изготавливаемых в базовом техпроцессе, но обычно его размеры бывают намного больше. Например, в техпроцессе изготовления логических схем с проектными нормами 28 нм, скорее всего, будут использоваться MTJ диаметром от 40 до 60 нм. Выбор диаметра MTJ на самом деле достаточно сложен, поскольку многие его свойства меняются при уменьшении размеров устройства.
 

9. Оборудование для производства MRAM заимствуется из индустрии жестких дисков и не годится для крупносерийного изготовления полупроводников.

 
Сегодня TEL, Applied Materials, отделение Anelva группы Canon, Singulus, LAM и другие компании разрабатывают или поставляют оборудование для массового производства 300-мм пластин MRAM
 

10. Исходящее из MRAM магнитное поле будет нарушать работу расположенных ниже КМОП схем, так же как магнитные датчики и компасы в мобильных устройствах.

 
Поле небольшого столбика MTJ очень быстро спадает, и на глубине полевого транзистора им уже можно пренебречь.
 
 

11. Вероятность потери данных в памяти MRAM выше, чем в SRAM.

 
В устройствах SRAM и DRAM всегда существует вероятность потери данных из-за воздействия фонового ионизирующего излучения. И эта проблема усугубляется, поскольку размеры элементов постоянно уменьшаются. Для устройств хранения на основе MTJ MRAM такой проблемы не существует, так как по своей природе они невосприимчивы к ионизирующему излучению. Это значит, что технология MRAM, в сочетании с соответствующей КМОП технологией, идеальна для аэрокосмических приложений и других областей, где присутствует радиация.

Просмотров всего 850, сегодня 3 Обновлено 01.06.2017 10:34:18
Статью прислал - Barry Hoberman, Electronic Design
Источник: http://www.rlocman.ru/review/article.html?di=278687
Отредактировать текст этой статьи?

Все статьи Экспорт статей с сервера QRZ.RU

Рейтинг читателей этой статьи

Рейтинг 1.80 балл на основе 5 мнений
Отлично
 1
20%
Хорошо
 0
0%
Потянет
 0
0%
Неприятно
 0
0%
Негативный
 4
80%

Комментарии



Обсуждение этой статьи - Скажите свое мнение!

Оставьте свое мнение

Авторизуйтесь, чтобы оставлять комментарии

Комментарии 0

Обсуждение этой статьи - Скажите свое мнение!

Партнеры