HELLORADIO.RU — интернет-магазин средств связи
EN FR DE CN JP
QRZ.RU > Новости > Физики разрабатывают полупроводники нового поколения для космоса и ВПК

поставить закладку

Физики разрабатывают полупроводники нового поколения для космоса и ВПК

07.08.2018 19:39:51
Источник:


Ученые ТГУ совместно с индустриальным партнером АО НПФ «Микран» создают технологию промышленного производства тонкопленочных полупроводниковых гетероструктур для изделий гражданского, оборонного и космического назначения. В частности, разрабатываются мощные транзисторы с высокой подвижностью электронов (High Electron Mobility Transistor – HEMT) для осуществления сотовой, спутниковой и радиосвязи на высоких частотах. Проект поддержан технологическими платформами «Национальная информационная спутниковая система» и «Национальная космическая технологическая платформа».

В реализации междисциплинарного проекта на стыке физики, радиофизики и химии задействованы ученые РФФ, ФТФ и ФФ ТГУ.

«Проблема повышения удельной мощности транзисторов и тем самым их дальнодействия будет решаться с помощью нового химического состава полупроводниковых материалов, применяемых для производства гетероструктуры, – говорит научный руководитель проекта, директор НОЦ «Наноэлектроника», профессор кафедры физики полупроводников ФФ ТГУ Валентин Брудный. – Для производства современных НЕМТ используют многослойные тонкопленочные гетероструктуры, функциональные характеристики которых могут быть улучшены за счет нитридных соединений индия-алюминия-галлия в сочетаниях, которые ранее промышленно не использовались».

Физики разрабатывают полупроводники нового поколения для космоса и ВПК

По словам Валентина Брудного, сейчас для производства НЕМТ применяются, главным образом, такие полупроводники, как GaAs, InAs, GaSb. Они обеспечивают высокие рабочие частоты, но имеют малые выходные мощности из-за особенностей их электронных свойств. Применение полупроводниковых нитридов для производства НЕМТ-транзисторов и, в частности, гетероструктуры InAlN/GaN позволит увеличить их удельную мощность, повысить термическую стабильность и устойчивость к внешним высокоэнергетическим воздействиям.

В процессе изготовления HEMT летучие металл-органические соединения будут послойно наноситься на подложку из карбида кремния. Суммарная толщина всех слоев составит несколько микрометров (1 мкм = 10-6 метра), что в десятки раз меньше диаметра человеческого волоса.

Работы по созданию НЕМТ на основе гетероструктуры InAlN/GaN начаты в ряде фирм во всем мире, но их промышленное производство в настоящее время отсутствует. По окончании проекта ТГУ должен подготовить технологическую документацию для передачи индустриальному партнеру – АО НПФ «Микран», который приступит к промышленному выпуску таких НЕМТ-транзисторов. Компания является одной из наиболее динамично развивающихся высокотехнологичных предприятий в России.

Добавим, что ПНИЭР «Исследование и разработка технологии изготовления сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем на основе гетероструктур InAlN/GaN для изделий космического применения» № 14.578.21.0240 от 26.09.2017 г. осуществляется в рамках ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014-2020 годы» (Уникальный идентификатор проекта RFMEFI57817X240).

Физики разрабатывают полупроводники нового поколения для космоса и ВПК

Сумма разработки – 300 миллионов рублей, из которых 150 миллионов – субсидия от Минобрнауки РФ, вторая половина – вложение индустриального партнера. Окончание работ намечено на декабрь 2019 года.

Подробнее: http://www.tsu.ru/




Сообщите вашу новость для QRZ.RU

Вы можете предложить свое сообщение для публикации в ленте новостей QRZ.RU. Для этого вам необходимо заполнить форму и отправить сообщение. Текст сообщения должен соответствовать требованиям к публикации

Партнеры